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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRZM002P02T2L
Rohm Semiconductor
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RZM002P02T2L - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RZM002P02T2L
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RZM002P02T2L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
RZM002P02T2L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 686900

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Spezifikation

RZM002P02T2L Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RZM002P02T2L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RZM002P02T2L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RZM002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RZM002P02T2L.

Produkteigenschaften RZM002P02T2L RJK03K0DPA-00#J5A NVD6495NLT4G FCP099N65S3
Artikelnummer RZM002P02T2L RJK03K0DPA-00#J5A NVD6495NLT4G FCP099N65S3
Hersteller Rohm Semiconductor Renesas Electronics America Inc onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V - 50mOhm @ 10A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) - 25A (Tc) 30A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA - 2V @ 250µA 4.5V @ 3mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - 100 V 650 V
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) - 83W (Tc) 227W (Tc)
Vgs (Max) ±10V - ±20V ±30V
Serie - * Automotive, AEC-Q101 SuperFET® III
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V - 1024 pF @ 25 V 2480 pF @ 400 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V - 4.5V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse VMT3 - DPAK TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V - 35 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel - N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer RZM002 - NVD649 FCP099
Verpackung / Gehäuse SOT-723 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RZM002P02T2L Datenblatt PDF

Laden Sie RZM002P02T2L PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RZM002P02T2L - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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