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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSCH2080KEC
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SCH2080KEC - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SCH2080KEC
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SCH2080KEC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
SCH2080KEC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4200

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Anzahl

Spezifikation

SCH2080KEC Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SCH2080KEC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SCH2080KEC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA  
Vgs (Max) +22V, -6V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V  
Verlustleistung (max) 262W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 800 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer SCH2080  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SCH2080KEC.

Produkteigenschaften SCH2080KEC SCH1601-A-TL-W SCH1436-TL-W SCH2080KE MOS
Artikelnummer SCH2080KEC SCH1601-A-TL-W SCH1436-TL-W SCH2080KE MOS
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi onsemi LAPIS Technology
Vgs (Max) +22V, -6V - ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) - 1.8A (Ta) -
Typ FET N-Channel - N-Channel -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V - 4V, 10V -
Verlustleistung (max) 262W (Tc) - 800mW (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V - 180mOhm @ 900mA, 10V -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA - 2.6V @ 1mA -
Grundproduktnummer SCH2080 SCH160 SCH143 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 800 V - 88 pF @ 10 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V - 30 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V - 2 nC @ 10 V -
Serie - * - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247 - SOT-563/SCH6 -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 - SOT-563, SOT-666 -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur 175°C (TJ) - 150°C (TJ) -
Befestigungsart Through Hole - Surface Mount -

SCH2080KEC Datenblatt PDF

Laden Sie SCH2080KEC PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SCH2080KEC - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 1/Feb/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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