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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysSCS110KE2C
SCS110KE2C Image
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SCS110KE2C - LAPIS Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SCS110KE2C
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SCS110KE2C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
SCS110KE2.pdf
Schottky Barrier Diode Part No. Explanation.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 2246

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Anzahl

Spezifikation

SCS110KE2C Tech -Spezifikationen
LAPIS Semiconductor - SCS110KE2C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie LAPIS Semiconductor - SCS110KE2C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 5A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)  
Befestigungsart Through Hole  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Diodentyp Silicon Carbide Schottky  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
detaillierte Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Through Hole TO-247-3  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 1200V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 5A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie LAPIS Semiconductor SCS110KE2C.

Produkteigenschaften SCS110KE2C SCS120AE2C SCS120KE2C SCS110AG
Artikelnummer SCS110KE2C SCS120AE2C SCS120KE2C SCS110AG
Hersteller LAPIS Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Diodentyp Silicon Carbide Schottky - - -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Serie - - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V 600 V 1200 V -
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns 0 ns 0 ns -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 5A 10A (DC) 10A (DC) -
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours) - - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100µA @ 1200V 200 µA @ 600 V 200 µA @ 1200 V -
Verpackung Tube - - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 5A 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 10 A -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-247 TO-247 -
detaillierte Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Through Hole TO-247-3 - - -

SCS110KE2C Datenblatt PDF

Laden Sie SCS110KE2C PDF -Datenblätter und LAPIS Semiconductor -Dokumentation für SCS110KE2C - LAPIS Semiconductor herunter.

Datenblätte
SCS110KE2.pdf Schottky Barrier Diode Part No. Explanation.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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SCS110KE2C

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32D-SCS110KE2C

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