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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSCS212AGC
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SCS212AGC - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SCS212AGC
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SCS212AGC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
SiC Power Devices Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

SCS212AGC Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SCS212AGC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SCS212AGC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.55 V @ 12 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 240 µA @ 600 V  
Strom - Richt (Io) 12A  
Kapazität @ Vr, F 438pF @ 1V, 1MHz  
Grundproduktnummer SCS212  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SCS212AGC.

Produkteigenschaften SCS212AGC SCS212AJTLL SCS215AEC SCS212AGHRC
Artikelnummer SCS212AGC SCS212AJTLL SCS215AEC SCS212AGHRC
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.55 V @ 12 A 1.55 V @ 12 A 1.55 V @ 15 A 1.55 V @ 12 A
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC TO-263AB TO-247 TO-220AC
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Kapazität @ Vr, F 438pF @ 1V, 1MHz - 550pF @ 1V, 1MHz 438pF @ 1V, 1MHz
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Grundproduktnummer SCS212 SCS212 SCS215 SCS212
Strom - Richt (Io) 12A 12A 15A 12A
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 TO-220-2
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 240 µA @ 600 V 240 µA @ 600 V 300 µA @ 600 V 240 µA @ 600 V

SCS212AGC Datenblatt PDF

Laden Sie SCS212AGC PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SCS212AGC - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Oct/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
SCS2yy Site Chgs 7/Jan/2021.pdf
HTML -Datenblatt
SiC Power Devices Catalog.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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