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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSCT2160KEC
Rohm Semiconductor
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SCT2160KEC - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SCT2160KEC
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SCT2160KEC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
SCT2160KEC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5240

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Anzahl

Spezifikation

SCT2160KEC Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SCT2160KEC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SCT2160KEC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) +22V, -6V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V  
Verlustleistung (max) 165W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer SCT2160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SCT2160KEC.

Produkteigenschaften SCT2160KEC SCT2080KEC SCT2120AFC SCT20N120
Artikelnummer SCT2160KEC SCT2080KEC SCT2120AFC SCT20N120
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V 106 nC @ 18 V 61 nC @ 18 V 45 nC @ 20 V
Grundproduktnummer SCT2160 SCT2080 SCT2120 SCT20
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +22V, -6V +22V, -6V +22V, -6V +25V, -10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-247 TO-220AB HiP247™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V 18V 18V 20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 165W (Tc) 262W (Tc) 165W (Tc) 175W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1200 V 650 V 1200 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V 2080 pF @ 800 V 1200 pF @ 500 V 650 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V 117mOhm @ 10A, 18V 156mOhm @ 10A, 18V 290mOhm @ 10A, 20V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 4V @ 4.4mA 4V @ 3.3mA 3.5V @ 1mA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 40A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc)

SCT2160KEC Datenblatt PDF

Laden Sie SCT2160KEC PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SCT2160KEC - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Oct/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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