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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSH8K2TB1
SH8K2TB1 Image
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SH8K2TB1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SH8K2TB1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SH8K2TB1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Gull Wing
Datenblatt
SH8K2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69310

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Anzahl

Spezifikation

SH8K2TB1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SH8K2TB1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SH8K2TB1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP (5.0x6.0)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Gull Wing  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SH8K2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SH8K2TB1.

Produkteigenschaften SH8K2TB1 SH8K5TB1 SH8K22TB1 SH8K4TB1
Artikelnummer SH8K2TB1 SH8K5TB1 SH8K22TB1 SH8K4TB1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Gull Wing 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V 83mOhm @ 3.5A, 10V 46mOhm @ 4.5A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 3.5A 4.5A (Ta) 9A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Grundproduktnummer SH8K2 SH8K5 SH8K22 SH8K4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 45V 30V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP (5.0x6.0) 8-SOP 8-SOP 8-SOP
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Leistung - max 2W 2W 1.4W (Ta) 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V 3.5nC @ 5V 9.6nC @ 5V 21nC @ 5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V 140pF @ 10V 550pF @ 10V 1190pF @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SH8K2TB1 Datenblatt PDF

Laden Sie SH8K2TB1 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SH8K2TB1 - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
SH8K2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SH8K2TB1

Rohm Semiconductor
32D-SH8K2TB1

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