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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSH8KA2GZETB
SH8KA2GZETB Image
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SH8KA2GZETB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SH8KA2GZETB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SH8KA2GZETB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SH8KA2GZETB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67100

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Anzahl

Spezifikation

SH8KA2GZETB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SH8KA2GZETB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SH8KA2GZETB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie -  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 2.8W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SH8KA2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SH8KA2GZETB.

Produkteigenschaften SH8KA2GZETB SH8KA4TB SH8K5TB1 SH8K3TB1
Artikelnummer SH8KA2GZETB SH8KA4TB SH8K5TB1 SH8K3TB1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer SH8KA2 SH8KA4 SH8K5 SH8K3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 8A, 10V 21.4mOhm @ 9A, 10V 83mOhm @ 3.5A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V 15.5nC @ 10V 3.5nC @ 5V 11.8nC @ 5V
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 9A 3.5A 7A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V 640pF @ 15V 140pF @ 10V 600pF @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie - - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 2.8W 3W 2W 2W (Ta)
Serie - - - -

SH8KA2GZETB Datenblatt PDF

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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