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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8J4TB
SP8J4TB Image
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SP8J4TB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8J4TB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8J4TB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8J4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5170

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Anzahl

Spezifikation

SP8J4TB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8J4TB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8J4TB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SP8J4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8J4TB.

Produkteigenschaften SP8J4TB SP8J1TB SP8J2TB SP8J5TB
Artikelnummer SP8J4TB SP8J1TB SP8J2TB SP8J5TB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Serie - - * -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A 5A - 7A
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 10V 1400pF @ 10V - 2600pF @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP - 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V - 30V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer SP8J4 SP8J1 SP8J2 SP8J5
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 2A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V - 28mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max 2W 2W - 2W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 5V 16nC @ 5V - 25nC @ 5V

SP8J4TB Datenblatt PDF

Laden Sie SP8J4TB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8J4TB - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
SP8J4.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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