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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8M8FD5TB1
SP8M8FD5TB1 Image
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SP8M8FD5TB1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8M8FD5TB1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8M8FD5TB1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8M8FD5TB1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4990

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Anzahl

Spezifikation

SP8M8FD5TB1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8M8FD5TB1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8M8FD5TB1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V, 850pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta), 4.5A (Ta)  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SP8M8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8M8FD5TB1.

Produkteigenschaften SP8M8FD5TB1 SP8M7TB SP8M6TB SP8M70TB1
Artikelnummer SP8M8FD5TB1 SP8M7TB SP8M6TB SP8M70TB1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V 5.5nC @ 5V 3.9nC @ 5V 5.2nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 250V
Leistung - max 2W (Ta) 2W 2W 650mW
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Grundproduktnummer SP8M8 SP8M7 SP8M6 SP8M7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta), 4.5A (Ta) 5A, 7A 5A, 3.5A 3A, 2.5A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V, 850pF @ 10V 230pF @ 10V 230pF @ 10V 180pF @ 25V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -

SP8M8FD5TB1 Datenblatt PDF

Laden Sie SP8M8FD5TB1 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8M8FD5TB1 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SP8M8FD5TB1

Rohm Semiconductor
32D-SP8M8FD5TB1

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