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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelSST3906T116
Rohm Semiconductor
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SST3906T116 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SST3906T116
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SST3906T116
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 40V 0.2A SST3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 691550

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Anzahl

Spezifikation

SST3906T116 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SST3906T116 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SST3906T116

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SST3  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  
Grundproduktnummer SST3906  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SST3906T116.

Produkteigenschaften SST3906T116 SST3904T116 SST3904 SST3906 T116
Artikelnummer SST3906T116 SST3904T116 SST3904 SST3906 T116
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Leistung - max 350 mW 350 mW - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 40 V - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 50mA - -
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SST3 SST3 - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 200 mA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 1V 100 @ 10mA, 1V - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA 50nA - -
Frequenz - Übergang 250MHz 300MHz - -
Grundproduktnummer SST3906 SST3904 - -
Transistor-Typ PNP NPN - -

SST3906T116 Datenblatt PDF

Laden Sie SST3906T116 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SST3906T116 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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