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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelSSTA56T116
Rohm Semiconductor
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SSTA56T116 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SSTA56T116
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SSTA56T116
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 80V 0.5A SST3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 274900

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Anzahl

Spezifikation

SSTA56T116 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SSTA56T116 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SSTA56T116

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SST3  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer SSTA56  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SSTA56T116.

Produkteigenschaften SSTA56T116 SSTA28T116 SSTA13T116 SSTA56HZGT116
Artikelnummer SSTA56T116 SSTA28T116 SSTA13T116 SSTA56HZGT116
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 300 mA 300 mA 500 mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 1.5V @ 100µA, 100mA 1.5V @ 100µA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Grundproduktnummer SSTA56 SSTA28 SSTA13 SSTA56
Supplier Device-Gehäuse SST3 SST3 SST3 SST3
Frequenz - Übergang 50MHz 200MHz 125MHz 50MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA 500nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor-Typ PNP NPN - Darlington NPN - Darlington PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 80 V 30 V 80 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 350 mW 200 mW 200 mW 200 mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V 10000 @ 100mA, 5V 10000 @ 100mA, 5V 100 @ 10mA, 1V

SSTA56T116 Datenblatt PDF

Laden Sie SSTA56T116 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SSTA56T116 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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