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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUM6J1NTN
Rohm Semiconductor
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UM6J1NTN - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UM6J1NTN
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UM6J1NTN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UM6J1NTN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 167480

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Anzahl

Spezifikation

UM6J1NTN Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UM6J1NTN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UM6J1NTN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer UM6J1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UM6J1NTN.

Produkteigenschaften UM6J1NTN UM6868-03 UM6K1NG1DTN UM6K1 NTN
Artikelnummer UM6J1NTN UM6868-03 UM6K1NG1DTN UM6K1 NTN
Hersteller Rohm Semiconductor UMC LAPIS Technology LAPIS Technology
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - - -
Supplier Device-Gehäuse UMT6 - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - - -
Leistung - max 150mW - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Grundproduktnummer UM6J1 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) - - -

UM6J1NTN Datenblatt PDF

Laden Sie UM6J1NTN PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für UM6J1NTN - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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