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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUM6K31NTN
Rohm Semiconductor
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UM6K31NTN - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UM6K31NTN
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UM6K31NTN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UM6K31NTN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 401100

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Anzahl

Spezifikation

UM6K31NTN Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UM6K31NTN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UM6K31NTN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer UM6K31  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UM6K31NTN.

Produkteigenschaften UM6K31NTN UM6K33NTN UM6K34NTCN UM6K31NFHATCN
Artikelnummer UM6K31NTN UM6K33NTN UM6K34NTCN UM6K31NFHATCN
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Leistung - max 150mW 120mW 120mW 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA 200mA 200mA 250mA (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 50V 50V 60V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 1V @ 1mA 800mV @ 1mA 2.3V @ 1mA
Grundproduktnummer UM6K31 UM6K33 UM6K34 UM6K31
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device-Gehäuse UMT6 UMT6 UMT6 UMT6
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate, 0.9V Drive -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V 25pF @ 10V 26pF @ 10V 15pF @ 25V

UM6K31NTN Datenblatt PDF

Laden Sie UM6K31NTN PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für UM6K31NTN - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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