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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedUMD3NTR
Rohm Semiconductor
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UMD3NTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UMD3NTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UMD3NTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UMT6 TR Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 329460

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Anzahl

Spezifikation

UMD3NTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UMD3NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UMD3NTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer UMD3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UMD3NTR.

Produkteigenschaften UMD3NTR UMD3NFHATR UMD4NTR UMD5NTR
Artikelnummer UMD3NTR UMD3NFHATR UMD4NTR UMD5NTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) NPN + PNP 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 10kOhms 47kOhms 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device-Gehäuse UMT6 UMT6 UMT6 UMT6
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Leistung - max 150mW 150mW 150mW, 120mW 150mW, 120mW
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Grundproduktnummer UMD3 UMD3 UMD4 UMD5
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 10kOhms 4.7kOhms, 10kOhms 47kOhms, 4.7kOhms
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA

UMD3NTR Datenblatt PDF

Laden Sie UMD3NTR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für UMD3NTR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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