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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedUMG6NTR
Rohm Semiconductor
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UMG6NTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UMG6NTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UMG6NTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Datenblatt
UMG6NTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 445300

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Anzahl

Spezifikation

UMG6NTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UMG6NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UMG6NTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT5  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer UMG6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UMG6NTR.

Produkteigenschaften UMG6NTR UMG5NTR UMG7NTR UMG4N-7
Artikelnummer UMG6NTR UMG5NTR UMG7NTR UMG4N-7
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Diodes Incorporated
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA 500nA (ICBO) -
Grundproduktnummer UMG6 UMG5 UMG7 UMG4
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Supplier Device-Gehäuse UMT5 UMT5 UMT5 SOT-353
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms 10kOhms 10kOhms 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Verpackung / Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 47kOhms - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Serie - - - -

UMG6NTR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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