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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUT6K3TCR
Rohm Semiconductor
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UT6K3TCR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UT6K3TCR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UT6K3TCR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerUDFN
Datenblatt
UT6K3TCR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 106840

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Anzahl

Spezifikation

UT6K3TCR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UT6K3TCR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UT6K3TCR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Technologie -  
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerUDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer UT6K3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UT6K3TCR.

Produkteigenschaften UT6K3TCR UT6J3TCR UT6MA3TCR UT63M127BB
Artikelnummer UT6K3TCR UT6J3TCR UT6MA3TCR UT63M127BB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor UTMC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V 2000pF @ 10V 460pF @ 10V -
Verpackung / Gehäuse 6-PowerUDFN 6-PowerUDFN 6-PowerUDFN -
Grundproduktnummer UT6K3 UT6J3 UT6MA3 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V -
Technologie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V 85mOhm @ 3A, 4.5V 59mOhm @ 5A, 4.5V -
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A 3A 5A, 5.5A -
Leistung - max 2W 2W 2W -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 8.5nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V -
FET-Merkmal - - - -

UT6K3TCR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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