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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVT6M1T2CR
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
VT6M1T2CR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-VT6M1T2CR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
VT6M1T2CR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 492100

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Anzahl

Spezifikation

VT6M1T2CR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - VT6M1T2CR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - VT6M1T2CR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Leistung - max 120mW  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.2V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer VT6M1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor VT6M1T2CR.

Produkteigenschaften VT6M1T2CR VT6K1T2CR VT6526 CF VT6526B
Artikelnummer VT6M1T2CR VT6K1T2CR VT6526 CF VT6526B
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor VIA VIA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V 7.1pF @ 10V - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V - -
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) - -
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Grundproduktnummer VT6M1 VT6K1 - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA 100mA - -
Supplier Device-Gehäuse VMT6 VMT6 - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V - -
Leistung - max 120mW 120mW - -

VT6M1T2CR Datenblatt PDF

Laden Sie VT6M1T2CR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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