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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD16323Q3C
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD16323Q3C - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD16323Q3C
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD16323Q3C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD16323Q3C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3770

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Anzahl

Spezifikation

CSD16323Q3C Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD16323Q3C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD16323Q3C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SON-EP (3x3)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 24A, 8V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 12.5 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 60A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD16323  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD16323Q3C.

Produkteigenschaften CSD16323Q3C CSD16340Q3 CSD16327Q3 CSD16322Q5
Artikelnummer CSD16323Q3C CSD16340Q3 CSD16327Q3 CSD16322Q5
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer CSD16323 CSD16340 CSD16327 CSD16322
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 60A (Tc) 21A (Ta), 60A (Tc) 60A (Tc) 21A (Ta), 97A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 12.5 V 1350 pF @ 12.5 V 1300 pF @ 12.5 V 1365 pF @ 12.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V 2.5V, 8V 3V, 8V 3V, 8V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SON-EP (3x3) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V +10V, -8V +10V, -8V
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3.1W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 4.5 V 9.2 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 24A, 8V 4.5mOhm @ 20A, 8V 4mOhm @ 24A, 8V 5mOhm @ 20A, 8V

CSD16323Q3C Datenblatt PDF

Laden Sie CSD16323Q3C PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD16323Q3C - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 10/Aug/2018.pdf
Datenblätter
CSD16323Q3C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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