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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD16412Q5A
Texas Instruments
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CSD16412Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD16412Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD16412Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD16412Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 82480

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Anzahl

Spezifikation

CSD16412Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD16412Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD16412Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) +16V, -12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 12.5 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 52A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD16412  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD16412Q5A.

Produkteigenschaften CSD16412Q5A CSD16570Q5BT CSD16411Q3 CSD16415Q5
Artikelnummer CSD16412Q5A CSD16570Q5BT CSD16411Q3 CSD16415Q5
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (3x3.15) 8-VSON-CLIP (5x6)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 2.7W (Ta) 3.2W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer CSD16412 CSD16570 CSD16411 CSD16415
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 12.5 V 14000 pF @ 12 V 570 pF @ 12.5 V 4100 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8 nC @ 4.5 V 250 nC @ 10 V 3.8 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 52A (Tc) 100A (Ta) 14A (Ta), 56A (Tc) 100A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 10V 0.59mOhm @ 50A, 10V 10mOhm @ 10A, 10V 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max) +16V, -12V ±20V +16V, -12V +16V, -12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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