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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD19534KCS
CSD19534KCS Image
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CSD19534KCS - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD19534KCS
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD19534KCS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
CSD19534KCS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79310

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Anzahl

Spezifikation

CSD19534KCS Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD19534KCS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD19534KCS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 118W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD19534  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD19534KCS.

Produkteigenschaften CSD19534KCS CSD19534Q5AT CSD19536KCS CSD19535KTTT
Artikelnummer CSD19534KCS CSD19534Q5AT CSD19536KCS CSD19535KTTT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Verlustleistung (max) 118W (Tc) 3.2W (Ta), 63W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 50 V 1680 pF @ 50 V 12000 pF @ 50 V 7930 pF @ 50 V
Serie - NexFET™ NexFET™ NexFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA 3.4V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 8-VSONP (5x6) TO-220-3 DDPAK/TO-263-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 44A (Tc) 150A (Ta) 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V 15.1mOhm @ 10A, 10V 2.7mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer CSD19534 CSD19534 CSD19536 CSD19535
FET-Merkmal - - - -

CSD19534KCS Datenblatt PDF

Laden Sie CSD19534KCS PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD19534KCS - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Site Chg 25/Jan/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-CSD19534KCS

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