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CSD25301W1015 Image
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CSD25301W1015 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD25301W1015
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD25301W1015
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD25301W1015.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4090

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Anzahl

Spezifikation

CSD25301W1015 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD25301W1015 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD25301W1015

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD2530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD25301W1015.

Produkteigenschaften CSD25301W1015 CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25211W1015
Artikelnummer CSD25301W1015 CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25211W1015
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Tc) 1.6A (Ta) 4A (Ta) 3.2A (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V 47mOhm @ 1A, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.05V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 1W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5) 4-DSBGA (1x1) 9-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V 478 pF @ 10 V 1010 pF @ 10 V 570 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer CSD2530 CSD25213 CSD25202 CSD25211
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V -6V -6V -6V

CSD25301W1015 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD25301W1015 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD25301W1015 - Texas Instruments herunter.

PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Texas Instruments
32D-CSD25301W1015

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