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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)Linear - Verstärker - Instrumentierung, OP -Verstärker, PufferverstärkerOPA659IDRBR
OPA659IDRBR Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

OPA659IDRBR - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
OPA659IDRBR
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-OPA659IDRBR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
OPA659.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8912

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Anzahl

Spezifikation

OPA659IDRBR Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - OPA659IDRBR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - OPA659IDRBR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
Spannung - Versorgungsspanne (min) 7 V  
Spannung - Versorgungsspanne (max) 13 V  
Spannung - Eingangs-Offset 1 mV  
Supplier Device-Gehäuse 8-SON (3x3)  
Slew Rate 2550V/µs  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Ausgabetyp -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C  
Zahl der Schaltkreise 1  
Befestigungsart Surface Mount  
Verstärkungsbandbreitenprodukt 350 MHz  
Strom - Versorgung 32mA  
Strom - Ausgang / Kanal 70 mA  
Strom - Eingangsruhe 10 pA  
Grundproduktnummer OPA659  
Verstärkertyp J-FET  
-3db Bandbreite 650 MHz  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments OPA659IDRBR.

Produkteigenschaften OPA659IDRBR OPA659IDBVR OPA660AP OPA660AU
Artikelnummer OPA659IDRBR OPA659IDBVR OPA660AP OPA660AU
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Burr Brown
-3db Bandbreite 650 MHz 650 MHz 850 MHz 850 MHz
Strom - Versorgung 32mA 32mA 26mA 26mA
Strom - Ausgang / Kanal 70 mA 70 mA 15 mA 15 mA
Verstärkungsbandbreitenprodukt 350 MHz 350 MHz - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Spannung - Versorgungsspanne (min) 7 V 7 V 9 V 9 V
Slew Rate 2550V/µs 2550V/µs 3000V/µs 3000V/µs
Zahl der Schaltkreise 1 1 1 1
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Spannung - Eingangs-Offset 1 mV 1 mV 10 mV 10 mV
Grundproduktnummer OPA659 OPA659 OPA660 -
Supplier Device-Gehäuse 8-SON (3x3) SOT-23-5 8-PDIP 8-SOIC
Strom - Eingangsruhe 10 pA 10 pA 2.1 µA 2.1 µA
Spannung - Versorgungsspanne (max) 13 V 13 V 11 V 11 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C -40°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C
Serie - - - -
Verstärkertyp J-FET J-FET Transconductance Transconductance
Ausgabetyp - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad SC-74A, SOT-753 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OPA659IDRBR Datenblatt PDF

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HTML -Datenblatt
OPA659.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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