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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT5401
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MMBT5401 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Hersteller Artikelnummer
MMBT5401
Hersteller
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT5401
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT5401.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1532750

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Anzahl

Spezifikation

MMBT5401 Tech -Spezifikationen
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - MMBT5401 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - MMBT5401

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5401.

Produkteigenschaften MMBT5401 MMBT5089LT1G MMBT5210 MMBT5089LT1G
Artikelnummer MMBT5401 MMBT5089LT1G MMBT5210 MMBT5089LT1G
Hersteller ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Leistung - max 350 mW 300 mW 350 mW 300 mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 50 mA 100 mA 50 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 25 V 50 V 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Frequenz - Übergang 300MHz 50MHz 30MHz 50MHz
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 1mA, 10mA 700mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 400 @ 100µA, 5V 200 @ 100µA, 5V 400 @ 100µA, 5V

MMBT5401 Datenblatt PDF

Laden Sie MMBT5401 PDF -Datenblätter und ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED -Dokumentation für MMBT5401 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED herunter.

Datenblätter
MMBT5401.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MMBT5401

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
32D-MMBT5401

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