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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N1131
2N1131 Image
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2N1131 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
2N1131
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2N1131
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER BJT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt
2N1131.pdf
vorrätig: 1508

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Anzahl

Spezifikation

2N1131 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - 2N1131 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - 2N1131

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 15mA, 150mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-39 (TO-205AD)  
Serie -  
Leistung - max 600 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 150mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology 2N1131.

Produkteigenschaften 2N1131 2N1486 2N1485 2N1490
Artikelnummer 2N1131 2N1486 2N1485 2N1490
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 3 A 3 A 6 A
Supplier Device-Gehäuse TO-39 (TO-205AD) TO-8 TO-8 TO-204AD (TO-3)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 150mA, 10V 35 @ 750mA, 4V 35 @ 750mA, 4V 25 @ 1.5A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max) 10mA 15µA 15µA 25µA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 55 V 40 V 55 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 15mA, 150mA 750mV @ 40mA, 750A 750mV @ 40mA, 750A 3V @ 300mA, 1.5A
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-233AA, TO-8-3 Metal Can TO-233AA, TO-8-3 Metal Can TO-204AA, TO-3
Frequenz - Übergang - - - -
Leistung - max 600 mW 1.75 W 1.75 W 75 W

2N1131 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N1131 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für 2N1131 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Microchip Technology
32D-2N1131

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