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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N4998
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N4998 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
2N4998
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2N4998
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER BJT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Datenblatt
2N4998.pdf
vorrätig: 127

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Anzahl

Spezifikation

2N4998 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - 2N4998 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - 2N4998

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 850mV @ 200µA, 1mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-59  
Serie -  
Leistung - max 35 W  
Verpackung / Gehäuse TO-210AA, TO-59-4, Stud  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Stud Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE -  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology 2N4998.

Produkteigenschaften 2N4998 2N4920 2N4920 2N4922G
Artikelnummer 2N4998 2N4920 2N4920 2N4922G
Hersteller Microchip Technology Solid State Inc. onsemi onsemi
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500µA 100µA 500µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 1 A 1 A 1 A
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE - 40 @ 50mA, 1V 40 @ 50mA, 1V 30 @ 500mA, 1V
Befestigungsart Stud Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-59 TO-126 TO-126 TO-126
Frequenz - Übergang - 3MHz 3MHz 3MHz
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 80 V 80 V 60 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 850mV @ 200µA, 1mA 600mV @ 100mA, 1A 600mV @ 100mA, 1A 600mV @ 100mA, 1A
Leistung - max 35 W 30 W 30 W 30 W
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN PNP PNP NPN
Verpackung / Gehäuse TO-210AA, TO-59-4, Stud TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3

2N4998 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N4998 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für 2N4998 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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