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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N5415
2N5415 Image
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2N5415 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
2N5415
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-2N5415
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PNP TRANSISTORS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Datenblatt
2N5415.pdf
vorrätig: 1269

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Spezifikation

2N5415 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - 2N5415 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - 2N5415

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 200 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-5AA  
Serie -  
Leistung - max 750 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-205AA, TO-5-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 50mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2N5415  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology 2N5415.

Produkteigenschaften 2N5415 2N5415 2N5401YTA 2N5416
Artikelnummer 2N5415 2N5415 2N5401YTA 2N5416
Hersteller Microchip Technology Solid State Inc. onsemi STMicroelectronics
Paket Bulk Box Cut Tape (CT) Tube
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 1 A 600 mA 1 A
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA 2.5V @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 2.5V @ 5mA, 50mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer 2N5415 - 2N5401 2N54
Verpackung / Gehäuse TO-205AA, TO-5-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 200 V 200 V 150 V 300 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA 50µA - 50µA
Supplier Device-Gehäuse TO-5AA TO-39 TO-92-3 TO-39
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Frequenz - Übergang - 15MHz 400MHz 15MHz
Leistung - max 750 mW 1 W 625 mW 1 W
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V 60 @ 10mA, 5V 30 @ 50mA, 10V

2N5415 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N5415 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für 2N5415 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Manufacturing Change 23/Feb/2021.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Microchip Technology
32D-2N5415

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