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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPL502LG
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APL502LG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APL502LG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APL502LG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 58A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
APL502LG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 780

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Anzahl

Spezifikation

APL502LG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APL502LG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APL502LG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L]  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 29A, 12V  
Verlustleistung (max) 730W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer APL502  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APL502LG.

Produkteigenschaften APL502LG APL502J APL501J APL502
Artikelnummer APL502LG APL502J APL501J APL502
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology APT APT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V - -
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L] ISOTOP® - -
Grundproduktnummer APL502 APL502 - -
Paket Tube Tube - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 52A (Tc) - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 29A, 12V 90mOhm @ 26A, 12V - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA - -
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 730W (Tc) 568W (Tc) - -
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC - -
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount - -

APL502LG Datenblatt PDF

Laden Sie APL502LG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APL502LG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Site Chg 1/Mar/2017.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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