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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT5010JLLU3
APT5010JLLU3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT5010JLLU3 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT5010JLLU3
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT5010JLLU3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1416

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Anzahl

Spezifikation

APT5010JLLU3 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT5010JLLU3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT5010JLLU3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 378W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Tc)  
Grundproduktnummer APT5010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT5010JLLU3.

Produkteigenschaften APT5010JLLU3 APT5010LFLLG APT5010JVFR APT5010LLLG
Artikelnummer APT5010JLLU3 APT5010LFLLG APT5010JVFR APT5010LLLG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS V® POWER MOS 7®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 470 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Verlustleistung (max) 378W (Tc) 520W (Tc) - 520W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Tc) 46A (Tc) 44A (Tc) 46A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227 TO-264 [L] ISOTOP® TO-264 [L]
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Paket Bulk Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4360 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer APT5010 APT5010 APT5010 APT5010
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 23A, 10V 100mOhm @ 23A, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 23A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V

APT5010JLLU3 Datenblatt PDF

Laden Sie APT5010JLLU3 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT5010JLLU3 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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