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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelAPT50GN60BDQ2G
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT50GN60BDQ2G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT50GN60BDQ2G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT50GN60BDQ2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 107A 366W TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6519

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Anzahl

Spezifikation

APT50GN60BDQ2G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT50GN60BDQ2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT50GN60BDQ2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A  
Testbedingung 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/230ns  
Schaltenergie 1185µJ (on), 1565µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie -  
Leistung - max 366 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 325 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 150 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 107 A  
Grundproduktnummer APT50GN60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT50GN60BDQ2G.

Produkteigenschaften APT50GN60BDQ2G APT50GF120LRG APT50GR120L APT50GS60BRDQ2G
Artikelnummer APT50GN60BDQ2G APT50GF120LRG APT50GR120L APT50GS60BRDQ2G
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Testbedingung 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 800V, 50A, 1Ohm, 15V 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Leistung - max 366 W 781 W 694 W 415 W
Strom - Collector Pulsed (Icm) 150 A 150 A 200 A 195 A
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 1200 V 1200 V 600 V
Serie - - - Thunderbolt IGBT®
Schaltenergie 1185µJ (on), 1565µJ (off) 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) 755µJ (off)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A 3V @ 15V, 50A 3.2V @ 15V, 50A 3.15V @ 15V, 50A
Grundproduktnummer APT50GN60 APT50GF120 APT50GR120 APT50GS60
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/230ns 25ns/260ns 28ns/237ns 16ns/225ns
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] TO-264 [L] TO-264 TO-247 [B]
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate-Ladung 325 nC 340 nC 445 nC 235 nC
Strom - Kollektor (Ic) (max) 107 A 135 A 117 A 93 A
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT-Typ Trench Field Stop NPT NPT NPT

APT50GN60BDQ2G Datenblatt PDF

Laden Sie APT50GN60BDQ2G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT50GN60BDQ2G - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fabrication Site 27/Oct/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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