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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT53N60BC6
Microchip Technology
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APT53N60BC6 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT53N60BC6
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT53N60BC6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
APT53N60BC6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4171

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Anzahl

Spezifikation

APT53N60BC6 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT53N60BC6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT53N60BC6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.72mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 417W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc)  
Grundproduktnummer APT53N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT53N60BC6.

Produkteigenschaften APT53N60BC6 APT50N60JCU2 APT51M50J APT53F80J
Artikelnummer APT53N60BC6 APT50N60JCU2 APT51M50J APT53F80J
Hersteller Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 570 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc) 52A (Tc) 51A (Tc) 57A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V 45mOhm @ 22.5A, 10V 75mOhm @ 37A, 10V 110mOhm @ 43A, 10V
Serie CoolMOS™ - - POWER MOS 8™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 417W (Tc) 290W (Tc) 480W (Tc) 960W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.72mA 3.9V @ 3mA 5V @ 2.5mA 5V @ 5mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 11600 pF @ 25 V 17550 pF @ 25 V
Grundproduktnummer APT53N60 - APT51M50 APT53F80
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] SOT-227 ISOTOP® ISOTOP®
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 500 V 800 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

APT53N60BC6 Datenblatt PDF

Laden Sie APT53N60BC6 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT53N60BC6 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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