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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelJANTX2N3868
Microchip Technology
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JANTX2N3868 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
JANTX2N3868
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-JANTX2N3868
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 60V 0.003A TO5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Datenblatt
JANTX2N3868.pdf
vorrätig: 1391

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Spezifikation

JANTX2N3868 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - JANTX2N3868 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - JANTX2N3868

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-5  
Serie Military, MIL-PRF-19500/350  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-205AA, TO-5-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 1.5A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 mA  
Grundproduktnummer 2N3868  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology JANTX2N3868.

Produkteigenschaften JANTX2N3868 JANTX2N3737UB JANTX2N3879 JANTX2N4399
Artikelnummer JANTX2N3868 JANTX2N3737UB JANTX2N3879 JANTX2N4399
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Frequenz - Übergang - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 mA 1.5 A 7 A 30 A
Supplier Device-Gehäuse TO-5 UB - TO-3 (TO-204AA)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A 900mV @ 100mA, 1A 1.2V @ 400mA, 4A 750mV @ 1A, 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) 10µA (ICBO) 25mA (ICBO) 100µA
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 1.5A, 2V 20 @ 1A, 1.5V 20 @ 4A, 5V 15 @ 15A, 2V
Serie Military, MIL-PRF-19500/350 Military, MIL-PRF-19500/395 Military, MIL-PRF-19500/526 Military, MIL-PRF-19500/433
Leistung - max 1 W 500 mW 35 W 5 W
Transistor-Typ PNP NPN NPN PNP
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 40 V 75 V 60 V
Grundproduktnummer 2N3868 2N3737 2N3879 2N4399
Verpackung / Gehäuse TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 4-SMD, No Lead TO-213AA, TO-66-2 TO-204AA, TO-3

JANTX2N3868 Datenblatt PDF

Laden Sie JANTX2N3868 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für JANTX2N3868 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Manufacturing Change 23/Feb/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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