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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelVN4012L-G
VN4012L-G Image
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VN4012L-G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
VN4012L-G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-VN4012L-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
VN4012.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23543

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Spezifikation

VN4012L-G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - VN4012L-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - VN4012L-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160mA (Tj)  
Grundproduktnummer VN4012  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology VN4012L-G.

Produkteigenschaften VN4012L-G AOT2608L SQ2398ES-T1_GE3 FDS4435BZ
Artikelnummer VN4012L-G AOT2608L SQ2398ES-T1_GE3 FDS4435BZ
Hersteller Microchip Technology Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 10V 10V 4.5V, 10V
Paket Bag Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-220-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA 3.6V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Grundproduktnummer VN4012 AOT2608 SQ2398 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-220 SOT-23-3 (TO-236) 8-SOIC
Verlustleistung (max) 1W (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 2W (Tc) 2.5W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 25 V 2995 pF @ 30 V 152 pF @ 50 V 1845 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® PowerTrench®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 60 V 100 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 100mA, 4.5V 8mOhm @ 20A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160mA (Tj) 11A (Ta), 72A (Tc) 1.6A (Tc) 8.8A (Ta)

VN4012L-G Datenblatt PDF

Laden Sie VN4012L-G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für VN4012L-G - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Datenblätter
VN4012.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Microchip Technology
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