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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelVP3203N8-G
VP3203N8-G Image
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VP3203N8-G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
VP3203N8-G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-VP3203N8-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.1A TO243AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
VP3203N8-G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32094

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Anzahl

Spezifikation

VP3203N8-G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - VP3203N8-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - VP3203N8-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Tj)  
Grundproduktnummer VP3203  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology VP3203N8-G.

Produkteigenschaften VP3203N8-G NTD23N03RG VP3203N3-G IRF530STRRPBF
Artikelnummer VP3203N8-G NTD23N03RG VP3203N3-G IRF530STRRPBF
Hersteller Microchip Technology onsemi Microchip Technology Vishay Siliconix
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 225 pF @ 20 V 300 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bag Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 10V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) 740mW (Ta) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Tj) 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 650mA (Tj) 14A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-243AA (SOT-89) DPAK TO-92-3 D²PAK (TO-263)
Serie - - - -
Grundproduktnummer VP3203 NTD23 VP3203 IRF530
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA 2V @ 250µA 3.5V @ 10mA 4V @ 250µA

VP3203N8-G Datenblatt PDF

Laden Sie VP3203N8-G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für VP3203N8-G - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf VP3203 20/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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