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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryEDY4016AABG-DR-F-D
EDY4016AABG-DR-F-D Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EDY4016AABG-DR-F-D - Micron Technology Inc.

Hersteller Artikelnummer
EDY4016AABG-DR-F-D
Hersteller
Micron Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EDY4016AABG-DR-F-D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
96-TFBGA
Datenblatt
EDY4016A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12430

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Anzahl

Spezifikation

EDY4016AABG-DR-F-D Tech -Spezifikationen
Micron Technology Inc. - EDY4016AABG-DR-F-D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micron Technology Inc. - EDY4016AABG-DR-F-D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micron Technology  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.26V  
Technologie SDRAM - DDR4  
Supplier Device-Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 96-TFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 4Gbit  
Speicherorganisation 256M x 16  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 1.2 GHz  
Grundproduktnummer EDY4016  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micron Technology Inc. EDY4016AABG-DR-F-D.

Produkteigenschaften EDY4016AABG-DR-F-D MX25L6455EXCI-10G DS1258Y-70 JS28F512P30EFA
Artikelnummer EDY4016AABG-DR-F-D MX25L6455EXCI-10G DS1258Y-70 JS28F512P30EFA
Hersteller Micron Technology Inc. Macronix Analog Devices Inc./Maxim Integrated Micron Technology Inc.
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.26V 2.7V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 1.7V ~ 2V
Speicherorganisation 256M x 16 8M x 8 128K x 16 32M x 16
Supplier Device-Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5) 24-CSPBGA (6x8) 40-EDIP 56-TSOP
Speicherformat DRAM FLASH NVSRAM FLASH
Verpackung / Gehäuse 96-TFBGA 24-TBGA 40-DIP Module (0.610', 15.495mm) 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel SPI Parallel Parallel
Speichergröße 4Gbit 64Mbit 2Mbit 512Mbit
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - 300µs, 5ms 70ns 110ns
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Serie - MXSMIO™ - Axcell™
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Paket Tray Tray Tube Tray
Grundproduktnummer EDY4016 MX25L6455 DS1258Y JS28F512P30
Technologie SDRAM - DDR4 FLASH - NOR NVSRAM (Non-Volatile SRAM) FLASH - NOR
Uhrfrequenz 1.2 GHz 104 MHz - 40 MHz
Speichertyp Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile

EDY4016AABG-DR-F-D Datenblatt PDF

Laden Sie EDY4016AABG-DR-F-D PDF -Datenblätter und Micron Technology Inc. -Dokumentation für EDY4016AABG-DR-F-D - Micron Technology Inc. herunter.

PCN -Verpackung
Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019.pdf Label 12/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf
Datenblätter
EDY4016A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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EDY4016AABG-DR-F-D

Micron Technology Inc.
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