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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryMT47H128M4CF-25E:G
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MT47H128M4CF-25E:G - Micron Technology Inc.

Hersteller Artikelnummer
MT47H128M4CF-25E:G
Hersteller
Micron Technology
Allelco Artikelnummer
32D-MT47H128M4CF-25E:G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
60-TFBGA
Datenblatt
MT47H128M4,64M8,32M16.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7460

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Spezifikation

MT47H128M4CF-25E:G Tech -Spezifikationen
Micron Technology Inc. - MT47H128M4CF-25E:G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micron Technology Inc. - MT47H128M4CF-25E:G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micron Technology  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns  
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V  
Technologie SDRAM - DDR2  
Supplier Device-Gehäuse 60-FBGA (8x10)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 512Mbit  
Speicherorganisation 128M x 4  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 400 MHz  
Grundproduktnummer MT47H128M4  
Zugriffszeit 400 ps  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E:G.

Produkteigenschaften MT47H128M4CF-25E:G MT47H128M4CB-37E:B MT47H128M8CF-25E IT:H MT47H128M8CF-25:H
Artikelnummer MT47H128M4CF-25E:G MT47H128M4CB-37E:B MT47H128M8CF-25E IT:H MT47H128M8CF-25:H
Hersteller Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Grundproduktnummer MT47H128M4 MT47H128M4 MT47H128M8 MT47H128M8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Speicherformat DRAM DRAM DRAM DRAM
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 15ns 15ns 15ns 15ns
Paket Tray Tray Tray Tray
Supplier Device-Gehäuse 60-FBGA (8x10) 60-FBGA 60-FBGA (8x10) 60-FBGA (8x10)
Speicherorganisation 128M x 4 128M x 4 128M x 8 128M x 8
Speichergröße 512Mbit 512Mbit 1Gbit 1Gbit
Uhrfrequenz 400 MHz 267 MHz 400 MHz 400 MHz
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) 0°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC) 0°C ~ 85°C (TC)
Technologie SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2
Speicherschnittstelle Parallel Parallel Parallel Parallel
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit 400 ps 500 ps 400 ps 400 ps
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 60-TFBGA 60-FBGA 60-TFBGA 60-TFBGA

MT47H128M4CF-25E:G Datenblatt PDF

Laden Sie MT47H128M4CF-25E:G PDF -Datenblätter und Micron Technology Inc. -Dokumentation für MT47H128M4CF-25E:G - Micron Technology Inc. herunter.

HTML -Datenblatt
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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