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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryMT53E128M32D2DS-053 AUT:A
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MT53E128M32D2DS-053 AUT:A - Micron Technology Inc.

Hersteller Artikelnummer
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A
Hersteller
Micron Technology
Allelco Artikelnummer
32D-MT53E128M32D2DS-053 AUT:A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
200-WFBGA
Datenblatt
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3638

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Spezifikation

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A Tech -Spezifikationen
Micron Technology Inc. - MT53E128M32D2DS-053 AUT:A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micron Technology Inc. - MT53E128M32D2DS-053 AUT:A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micron Technology  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 1.1V  
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5)  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 4Gbit  
Speicherorganisation 128M x 32  
Speicherschnittstelle -  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 1.866 GHz  
Grundproduktnummer MT53E128  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AUT:A.

Produkteigenschaften MT53E128M32D2DS-053 AUT:A MT53E128M32D2DS-053 WT:A MT53D768M64D8JS-053 WT:D MT53E1G32D2FW-046 WT:A
Artikelnummer MT53E128M32D2DS-053 AUT:A MT53E128M32D2DS-053 WT:A MT53D768M64D8JS-053 WT:D MT53E1G32D2FW-046 WT:A
Hersteller Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Speichergröße 4Gbit 4Gbit 48Gbit 32Gbit
Uhrfrequenz 1.866 GHz 1.866 GHz 1.866 GHz 2.133 GHz
Speicherschnittstelle - - - Parallel
Speicherformat DRAM DRAM DRAM DRAM
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - - - 18ns
Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5) 200-WFBGA (10x14.5) 366-VFBGA (12x12.7) 200-TFBGA (10x14.5)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4X
Spannungsversorgung 1.1V 1.1V 1.1V 1.06V ~ 1.17V
Grundproduktnummer MT53E128 MT53E128 MT53D768 -
Paket Tray Tray Tray Box
Speicherorganisation 128M x 32 128M x 32 768M x 64 1G x 32
Serie Automotive, AEC-Q100 - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -25°C ~ 85°C (TC)
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA 200-WFBGA 366-VFBGA 200-TFBGA

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A Datenblatt PDF

Laden Sie MT53E128M32D2DS-053 AUT:A PDF -Datenblätter und Micron Technology Inc. -Dokumentation für MT53E128M32D2DS-053 AUT:A - Micron Technology Inc. herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Memory 24-May-2022.pdf
PCN -Verpackung
Tray 05-May-2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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