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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryMT53E1G32D4NQ-046 WT:F
Micron Technology Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MT53E1G32D4NQ-046 WT:F - Micron Technology Inc.

Hersteller Artikelnummer
MT53E1G32D4NQ-046 WT:F
Hersteller
Micron Technology
Allelco Artikelnummer
32D-MT53E1G32D4NQ-046 WT:F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
200-VFBGA
Datenblatt
MT53E1G32D4NQ-046 WT:F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17530

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Anzahl

Spezifikation

MT53E1G32D4NQ-046 WT:F Tech -Spezifikationen
Micron Technology Inc. - MT53E1G32D4NQ-046 WT:F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micron Technology Inc. - MT53E1G32D4NQ-046 WT:F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micron Technology  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 1.06V ~ 1.17V  
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Supplier Device-Gehäuse 200-VFBGA (10x14.5)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 200-VFBGA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 32Gbit  
Speicherorganisation 1G x 32  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 2.133 GHz  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT:F.

Produkteigenschaften MT53E1G32D4NQ-046 WT:F MT53E1G64D8NW-046 WT:E MT53E1G32D4NQ-046 WT:E MT53E1G32D2FW-046 WT:A
Artikelnummer MT53E1G32D4NQ-046 WT:F MT53E1G64D8NW-046 WT:E MT53E1G32D4NQ-046 WT:E MT53E1G32D2FW-046 WT:A
Hersteller Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Serie - - - -
Speicherformat DRAM DRAM DRAM DRAM
Spannungsversorgung 1.06V ~ 1.17V 1.1V 1.1V 1.06V ~ 1.17V
Speichergröße 32Gbit 64Gbit 32Gbit 32Gbit
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - - - 18ns
Supplier Device-Gehäuse 200-VFBGA (10x14.5) - - 200-TFBGA (10x14.5)
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C -30°C ~ 85°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -25°C ~ 85°C (TC)
Verpackung / Gehäuse 200-VFBGA - - 200-TFBGA
Paket Bulk Box Box Box
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Uhrfrequenz 2.133 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4X
Befestigungsart Surface Mount - - Surface Mount
Speicherorganisation 1G x 32 1G x 64 1G x 32 1G x 32

MT53E1G32D4NQ-046 WT:F Datenblatt PDF

Laden Sie MT53E1G32D4NQ-046 WT:F PDF -Datenblätter und Micron Technology Inc. -Dokumentation für MT53E1G32D4NQ-046 WT:F - Micron Technology Inc. herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 8/Apr/2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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Zertifikate und Mitgliedschaft

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MT53E1G32D4NQ-046 WT:F

Micron Technology Inc.
32D-MT53E1G32D4NQ-046 WT:F

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