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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryMT53E384M32D2DS-053 WT:E
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MT53E384M32D2DS-053 WT:E - Micron Technology Inc.

Hersteller Artikelnummer
MT53E384M32D2DS-053 WT:E
Hersteller
Micron Technology
Allelco Artikelnummer
32D-MT53E384M32D2DS-053 WT:E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
200-WFBGA
Datenblatt
MT53E384M32D2DS-053 WT:E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4876

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Anzahl

Spezifikation

MT53E384M32D2DS-053 WT:E Tech -Spezifikationen
Micron Technology Inc. - MT53E384M32D2DS-053 WT:E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Micron Technology Inc. - MT53E384M32D2DS-053 WT:E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Micron Technology  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 1.1V  
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4  
Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 12Gbit  
Speicherorganisation 384M x 32  
Speicherschnittstelle -  
Speicherformat DRAM  
Uhrfrequenz 1.866 GHz  
Grundproduktnummer MT53E384  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 WT:E.

Produkteigenschaften MT53E384M32D2DS-053 WT:E MT53E2G32D4DT-046 AAT:A MT53E384M64D4NK-046 WT:E MT53E384M32D2DS-046 AAT:E
Artikelnummer MT53E384M32D2DS-053 WT:E MT53E2G32D4DT-046 AAT:A MT53E384M64D4NK-046 WT:E MT53E384M32D2DS-046 AAT:E
Hersteller Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.
Speicherformat DRAM DRAM DRAM DRAM
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - - - -
Spannungsversorgung 1.1V 1.1V 1.1V 1.1V
Grundproduktnummer MT53E384 MT53E2G32 MT53E384 MT53E384
Speicherorganisation 384M x 32 2G x 32 384M x 64 384M x 32
Serie - Automotive, AEC-Q100 - Automotive, AEC-Q100
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4 SDRAM - Mobile LPDDR4
Paket Tray Tray Tray Tray
Speicherschnittstelle - - - -
Speichergröße 12Gbit 64Gbit 24Gbit 12Gbit
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Befestigungsart Surface Mount - - Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA - - 200-WFBGA
Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5) - - 200-WFBGA (10x14.5)
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 105°C (TC) -30°C ~ 85°C (TC) -40°C ~ 105°C (TC)
Uhrfrequenz 1.866 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz 2.133 GHz

MT53E384M32D2DS-053 WT:E Datenblatt PDF

Laden Sie MT53E384M32D2DS-053 WT:E PDF -Datenblätter und Micron Technology Inc. -Dokumentation für MT53E384M32D2DS-053 WT:E - Micron Technology Inc. herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Memory 24-May-2022.pdf
PCN -Verpackung
Tray 05-May-2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 27/Oct/2022.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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