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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT10035B2LLG
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT10035B2LLG - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT10035B2LLG
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT10035B2LLG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

APT10035B2LLG Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT10035B2LLG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT10035B2LLG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 690W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5185 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer APT10035  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT10035B2LLG.

Produkteigenschaften APT10035B2LLG APT10035JLL APT10045JLL APT10035JFLL
Artikelnummer APT10035B2LLG APT10035JLL APT10045JLL APT10035JFLL
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V 154 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5185 pF @ 25 V 5185 pF @ 25 V 4350 pF @ 25 V 5185 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 690W (Tc) 520W (Tc) 460W (Tc) 520W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Grundproduktnummer APT10035 APT10035 APT10045 APT10035
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 14A, 10V 350mOhm @ 14A, 10V 450mOhm @ 11.5A, 10V 370mOhm @ 14A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 25A (Tc) 21A (Tc) 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -

APT10035B2LLG Datenblatt PDF

Laden Sie APT10035B2LLG PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT10035B2LLG - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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