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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT10M11JVR
APT10M11JVR Image
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APT10M11JVR - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT10M11JVR
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT10M11JVR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
APT10M11JVR.pdf
vorrätig: 4610

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Spezifikation

APT10M11JVR Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT10M11JVR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT10M11JVR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS V®  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 144A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT10M11JVR.

Produkteigenschaften APT10M11JVR APT106N60LC6 APT106N60B2C6 APT10M07JVR
Artikelnummer APT10M11JVR APT106N60LC6 APT106N60B2C6 APT10M07JVR
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 833W (Tc) 833W (Tc) 700W (Tc)
Serie POWER MOS V® CoolMOS™ CoolMOS™ POWER MOS V®
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® TO-264 (L) T-MAX™ [B2] ISOTOP®
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 144A (Tc) 106A (Tc) 106A (Tc) 225A (Tc)
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Paket Bulk Tube Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V 308 nC @ 10 V 308 nC @ 10 V 1050 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 600 V 600 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 3.5V @ 3.4mA 3.5V @ 3.4mA 4V @ 5mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 25 V 8390 pF @ 25 V 8390 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT10M11JVR Datenblatt PDF

Laden Sie APT10M11JVR PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT10M11JVR - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
DPT0F081A1230 Series EOL 15/Sep/2016.pdf
Datenblätter
APT10M11JVR.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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