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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT6040BN
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT6040BN - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT6040BN
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT6040BN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
APT6040BN.pdf
vorrätig: 4320

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Anzahl

Spezifikation

APT6040BN Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT6040BN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT6040BN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD  
Serie POWER MOS IV®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT6040BN.

Produkteigenschaften APT6040BN APT6030BN APT6029BFLLG APT6038BLLG
Artikelnummer APT6040BN APT6030BN APT6029BFLLG APT6038BLLG
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Serie POWER MOS IV® POWER MOS IV® POWER MOS 7® POWER MOS 7®
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 23A (Tc) 21A (Tc) 17A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 2615 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD TO-247AD TO-247 [B] TO-247 [B]
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 9A, 10V 300mOhm @ 11.5A, 10V 290mOhm @ 10.5A, 10V 380mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V - -

APT6040BN Datenblatt PDF

Laden Sie APT6040BN PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT6040BN - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Legacy Prod EOL 1/Mar/2017.pdf
Datenblätter
APT6040BN.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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