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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT60M80JVR
APT60M80JVR Image
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APT60M80JVR - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT60M80JVR
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT60M80JVR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
APT60M80JVR.pdf
vorrätig: 4920

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Spezifikation

APT60M80JVR Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT60M80JVR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT60M80JVR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 568W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 870 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT60M80JVR.

Produkteigenschaften APT60M80JVR APT60M75JLL APT60M75JFLL APT60M60JLL
Artikelnummer APT60M80JVR APT60M75JLL APT60M75JFLL APT60M60JLL
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V 75mOhm @ 29A, 10V 75mOhm @ 29A, 10V 60mOhm @ 35A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 870 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 289 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 568W (Tc) 595W (Tc) 595W (Tc) 694W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 25 V 8930 pF @ 25 V 8930 pF @ 25 V 12630 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 5mA 5V @ 5mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 58A (Tc) 58A (Tc) 70A (Tc)
Serie POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 7®

APT60M80JVR Datenblatt PDF

Laden Sie APT60M80JVR PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT60M80JVR - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
DPT0F081A1230 Series EOL 15/Sep/2016.pdf

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-APT60M80JVR

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