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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT97N65LC6
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT97N65LC6 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT97N65LC6
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT97N65LC6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 97A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
APT97N65LC6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4380

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Spezifikation

APT97N65LC6 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT97N65LC6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT97N65LC6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L]  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 48.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 862W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 97A (Tc)  
Grundproduktnummer APT97N65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT97N65LC6.

Produkteigenschaften APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APT94N60L2C3G
Artikelnummer APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APT94N60L2C3G
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V 2606 pF @ 25 V 2605 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Grundproduktnummer APT97N65 APT9F100 APT9M100 APT94N60
Verlustleistung (max) 862W (Tc) 337W (Tc) 335W (Tc) 833W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA 3.9V @ 5.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 640 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 1000 V 1000 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L] TO-247 [B] TO-247 [B] 264 MAX™ [L2]
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 97A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 94A (Tc)
Serie CoolMOS™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 48.5A, 10V 1.6Ohm @ 5A, 10V 1.4Ohm @ 5A, 10V 35mOhm @ 60A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT97N65LC6 Datenblatt PDF

Laden Sie APT97N65LC6 PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT97N65LC6 - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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