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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-ModuleAPTGT150A170D1G
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APTGT150A170D1G - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APTGT150A170D1G
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APTGT150A170D1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MODULE 1700V 280A 780W D1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
D1
Datenblatt
APTGT150A170D1G.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

APTGT150A170D1G Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APTGT150A170D1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APTGT150A170D1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A  
Supplier Device-Gehäuse D1  
Serie -  
Leistung - max 780 W  
Verpackung / Gehäuse D1  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
NTC-Thermistor No  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 13 nF @ 25 V  
Eingang Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Strom - Collector Cutoff (Max) 4 mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 280 A  
Konfiguration Half Bridge  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APTGT150A170D1G.

Produkteigenschaften APTGT150A170D1G APTGT200A120D3G APTGT100SK170D1G APTGT150TDU60PG
Artikelnummer APTGT150A170D1G APTGT200A120D3G APTGT100SK170D1G APTGT150TDU60PG
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Verpackung / Gehäuse D1 D-3 Module D1 SP6
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 13 nF @ 25 V 14 nF @ 25 V 8.5 nF @ 25 V 9.2 nF @ 25 V
Serie - - - -
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Supplier Device-Gehäuse D1 D3 D1 SP6-P
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A 2.1V @ 15V, 200A 2.4V @ 15V, 100A 1.9V @ 15V, 150A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 280 A 300 A 200 A 225 A
NTC-Thermistor No No No No
Eingang Standard Standard Standard Standard
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V 1200 V 1700 V 600 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 4 mA 6 mA 3 mA 250 µA
Konfiguration Half Bridge Half Bridge Single Triple, Dual - Common Source
IGBT-Typ Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Leistung - max 780 W 1040 W 695 W 480 W
Betriebstemperatur - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)

APTGT150A170D1G Datenblatt PDF

Laden Sie APTGT150A170D1G PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APTGT150A170D1G - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

Microsemi Corporation
32D-APTGT150A170D1G

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