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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-ModuleAPTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APTGT50DA170D1G - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APTGT50DA170D1G
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APTGT50DA170D1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
D1
Datenblatt
APTGT50DA170D1.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

APTGT50DA170D1G Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APTGT50DA170D1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APTGT50DA170D1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A  
Supplier Device-Gehäuse D1  
Serie -  
Leistung - max 310 W  
Verpackung / Gehäuse D1  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
NTC-Thermistor No  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 4.4 nF @ 25 V  
Eingang Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Strom - Collector Cutoff (Max) 6 mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 70 A  
Konfiguration Single  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APTGT50DA170D1G.

Produkteigenschaften APTGT50DA170D1G APTGT400U170D4G APTGT50SK120D1G APTGT50SK170D1G
Artikelnummer APTGT50DA170D1G APTGT400U170D4G APTGT50SK120D1G APTGT50SK170D1G
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Supplier Device-Gehäuse D1 D4 D1 D1
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Konfiguration Single Single Single Single
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 4.4 nF @ 25 V 33 nF @ 25 V 3.6 nF @ 25 V 4.4 nF @ 25 V
IGBT-Typ Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 70 A 800 A 75 A 70 A
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) - - -
NTC-Thermistor No No No No
Eingang Standard Standard Standard Standard
Leistung - max 310 W 2080 W 270 W 310 W
Strom - Collector Cutoff (Max) 6 mA 1 mA 5 mA 6 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V 1700 V 1200 V 1700 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A 2.4V @ 15V, 400A 2.1V @ 15V, 50A 2.4V @ 15V, 50A
Verpackung / Gehäuse D1 D4 D1 D1

APTGT50DA170D1G Datenblatt PDF

Laden Sie APTGT50DA170D1G PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APTGT50DA170D1G - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Datenblätter
APTGT50DA170D1.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Microsemi Corporation
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