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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelJANTX2N3251A
JANTX2N3251A Image
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JANTX2N3251A - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
JANTX2N3251A
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-JANTX2N3251A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 60V 0.2A TO39
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt
JANTX2N3251A.pdf
vorrätig: 4200

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Spezifikation

JANTX2N3251A Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - JANTX2N3251A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - JANTX2N3251A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-39 (TO-205AD)  
Serie Military, MIL-PRF-19500/323  
Leistung - max 360 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  
Grundproduktnummer 2N3251  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation JANTX2N3251A.

Produkteigenschaften JANTX2N3251A JANTX2N3467 JANTX2N2906A JANTX2N3637UB
Artikelnummer JANTX2N3251A JANTX2N3467 JANTX2N2906A JANTX2N3637UB
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 1.2V @ 100mA, 1A 1.6V @ 50mA, 500mA 600mV @ 5mA, 50mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 1V 40 @ 500mA, 1V 40 @ 150mA, 10V 100 @ 50mA, 10V
Grundproduktnummer 2N3251 - 2N2906 -
Serie Military, MIL-PRF-19500/323 Military, MIL-PRF-19500/348 Military, MIL-PRF-19500/291 Military, MIL-PRF-19500/357
Leistung - max 360 mW 1 W 500 mW 1.5 W
Supplier Device-Gehäuse TO-39 (TO-205AD) TO-39 TO-18 (TO-206AA) 3-SMD
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 40 V 60 V 175 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 1 A 600 mA 1 A
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 3-SMD, No Lead
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Frequenz - Übergang - - - -
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) 100nA (ICBO) 50nA 10µA

JANTX2N3251A Datenblatt PDF

Laden Sie JANTX2N3251A PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für JANTX2N3251A - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 5/Feb/2017.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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JANTX2N3251A

Microsemi Corporation
32D-JANTX2N3251A

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