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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-RFTAN300
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TAN300 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
TAN300
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-TAN300
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
55KT
Datenblatt
TAN300.pdf
vorrätig: 5270

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Anzahl

Spezifikation

TAN300 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - TAN300 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - TAN300

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse 55KT  
Serie -  
Leistung - max 1166W  
Verpackung / Gehäuse 55KT  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 200°C (TJ)  
Rauschzahl (dB Typ @ f) -  
Befestigungsart Chassis Mount  
Gewinnen 6.6dB  
Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 1mA, 5V  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation TAN300.

Produkteigenschaften TAN300 KSC2756OMTF SD1127 2SC3357-T1-A
Artikelnummer TAN300 KSC2756OMTF SD1127 2SC3357-T1-A
Hersteller Microsemi Corporation onsemi Microsemi Corporation Renesas Electronics America Inc
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20A 30mA 640mA 100mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 1mA, 5V 90 @ 5mA, 10V 10 @ 50mA, 5V 50 @ 20mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse 55KT SOT-23-3 TO-39 SOT-89
Betriebstemperatur 200°C (TJ) 150°C (TJ) 200°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rauschzahl (dB Typ @ f) - 6.5dB @ 200MHz - 1.8dB @ 1GHz
Gewinnen 6.6dB 15dB ~ 23dB 12dB 10dB
Verpackung / Gehäuse 55KT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-243AA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V 20V 18V 12V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Leistung - max 1166W 150mW 8W 1.2W
Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz 850MHz 175MHz 6.5GHz

TAN300 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 13/Aug/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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