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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelPN3638A
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PN3638A - NTE Electronics, Inc

Hersteller Artikelnummer
PN3638A
Hersteller
NTE Electronics, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-PN3638A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
PN3638A Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 291590

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Anzahl

Spezifikation

PN3638A Tech -Spezifikationen
NTE Electronics, Inc - PN3638A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NTE Electronics, Inc - PN3638A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NTE Electronics, Inc.  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 30mA, 300mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bag  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 300mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 35nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NTE Electronics, Inc PN3638A.

Produkteigenschaften PN3638A PN3645 PN3638A PN3640
Artikelnummer PN3638A PN3645 PN3638A PN3640
Hersteller NTE Electronics, Inc Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 300mA, 2V 100 @ 150mA, 10V 20 @ 300mA, 2V 30 @ 10mA, 300mV
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V 60 V 25 V 12 V
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Strom - Collector Cutoff (Max) 35nA 35nA 35nA 10nA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA 800 mA 800 mA 200 mA
Frequenz - Übergang - - - 500MHz
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 30mA, 300mA 400mV @ 15mA, 150mA 1V @ 30mA, 300mA 600mV @ 5mA, 50mA
Leistung - max 625 mW 625 mW 625 mW 350 mW
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Paket Bag Bulk Bulk Bulk

PN3638A Datenblatt PDF

Laden Sie PN3638A PDF -Datenblätter und NTE Electronics, Inc -Dokumentation für PN3638A - NTE Electronics, Inc herunter.

Umweltinformationen
RoHS Statement.pdf
Datenblätter
PN3638A Datasheet.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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PN3638A

NTE Electronics, Inc
32D-PN3638A

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