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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSH111BKR
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSH111BKR - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BSH111BKR
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-BSH111BKR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSH111BK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 596050

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Anzahl

Spezifikation

BSH111BKR Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - BSH111BKR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - BSH111BKR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 302mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210mA (Ta)  
Grundproduktnummer BSH111  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. BSH111BKR.

Produkteigenschaften BSH111BKR BSH111,215 BSH108,215 BSH111BK215
Artikelnummer BSH111BKR BSH111,215 BSH108,215 BSH111BK215
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Serie - TrenchMOS™ TrenchMOS™ *
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verlustleistung (max) 302mW (Ta) 830mW (Tc) 830mW (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5 nC @ 4.5 V 1 nC @ 8 V 10 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210mA (Ta) 335mA (Ta) 1.9A (Tc) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 30 V -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Grundproduktnummer BSH111 - BSH108 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 1.8V, 4.5V 5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 200mA, 4.5V 4Ohm @ 500mA, 4.5V 120mOhm @ 1A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 30 V 40 pF @ 10 V 190 pF @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB TO-236AB TO-236AB -

BSH111BKR Datenblatt PDF

Laden Sie BSH111BKR PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für BSH111BKR - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Datenblätter
BSH111BK.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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