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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSH207,135
BSH207,135 Image
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BSH207,135 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BSH207,135
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-BSH207,135
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
BSH207,135.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4320

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Anzahl

Spezifikation

BSH207,135 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - BSH207,135 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - BSH207,135

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Typ)  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 417mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 9.6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.52A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. BSH207,135.

Produkteigenschaften BSH207,135 BSH205G2215 BSH205G2R BSH205G2
Artikelnummer BSH207,135 BSH205G2215 BSH205G2R BSH205G2
Hersteller Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Vgs (Max) ±8V - ±8V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V - 4.5V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.52A (Ta) - 2A (Ta) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V - 20 V -
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Typ) - 950mV @ 250µA -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V - 170mOhm @ 2A, 4.5V -
Serie - * Automotive, AEC-Q100 *
Typ FET P-Channel - P-Channel -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 9.6 V - 418 pF @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSOP - TO-236AB -
Verlustleistung (max) 417mW (Ta) - 480mW (Ta) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V - 6.5 nC @ 4.5 V -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -

BSH207,135 Datenblatt PDF

Laden Sie BSH207,135 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für BSH207,135 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 05/Jul/2015.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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